Samsung hóf í dag fjöldaframleiðslu á nýjum DDR3 DRAM einingum sínum með 20 nanómetra framleiðsluferli. Þessar nýju einingar hafa 4Gb afkastagetu, þ.e.a.s 512MB. Hins vegar er tiltækt minni einstakra eininga ekki aðal eiginleiki þeirra. Framfarirnar liggja einmitt í notkun á nýju framleiðsluferli sem skilar sér í allt að 25% minni orkunotkun miðað við eldra, 25 nanómetra ferli.
Flutningurinn yfir í 20 nm tækni er einnig síðasta skrefið sem skilur fyrirtækið frá því að hefja framleiðslu á minniseiningum með 10 nm ferlinu. Tæknin sem nú er notuð fyrir nýjar einingar er einnig sú fullkomnasta á markaðnum og hægt er að nota hana ekki aðeins með tölvum heldur einnig með farsímum. Fyrir tölvur þýðir þetta að Samsung getur nú búið til flís af sömu stærð, en með verulega stærra rekstrarminni. Samsung þurfti einnig að breyta núverandi tækni sinni til að geta gert flögurnar minni en viðhalda núverandi framleiðsluaðferð.
- Þú gætir haft áhuga á: Samsung hefur þróað fyrsta 8Gb LPDDR4 farsíma DRAM minni
