Þessa dagana undirbýr Samsung að hefja framleiðslu á ofurhröðu UFS 2.0 NAND Flash minni sem það ætlar að nota í framtíðar flaggskipi sínu, Samsung Galaxy S6. Hingað til var notuð eMMC NAND Flash minni tækni sem náði 400 MB/s flutningshraða. Hins vegar, þökk sé nýrri annarri kynslóð UFS tækni, verður minnið í símunum Galaxy S6 fær um að ná flutningshraða allt að 1.2 GB/s, þ.e.a.s. þrisvar sinnum meiri hraða.
Þetta mun að sjálfsögðu endurspeglast í flutningi á stórum skrám, eins og flutningi á 4K myndböndum með LTE-A tengingu. Að auki, miðað við eMMC 5.0, býður tæknin upp á allt að 50% minni eyðslu sem hefur jákvæð áhrif á endingu rafhlöðunnar í nýja símanum. Samsung ætlar einnig að nota tæknina í SD- og microSD-kortum sínum og er greinilega þegar að vinna hörðum höndum að því. Helsti kínverski keppinautur Samsung, Xiaomi, ætlar einnig að nota UFS Flash minni og svo virðist sem Toshima, Hynix og Micron muni einnig sýna því áhuga. Þar að auki, þökk sé UFS tækni, mun Samsung neyðast til að nota microUSB 3.0 tengið ef það vill nota flutningshraðann við að flytja skrár úr tölvu í farsíma og öfugt.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
*Heimild: ETNews
