Prag, 20. mars 2015 - Samsung Electronics Co., Ltd., leiðandi á heimsvísu í háþróaðri minnistækni, kynnir afkastamikla 128GB 3bit NAND geymslu fyrir farsíma, sem byggir á Embedded MultiMedia tækniCard (eMMC) 5.0. Flaggskip meðal snjallsíma eru nú þegar að skipta yfir í 128GB minnisgeymslu byggt á Universal Flash Storage (UFS) 2.0 eða EMMC 5.1 stöðlum. Á sama hátt, jafnvel meðal-svið snjallsímar munu nú geta aukið getu sína til 128 GB þökk sé nýju geymslunni Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. Þessi minniskubbar hefur mesta afkastageta innan eMMC 5.0 staðalsins.
„Með kynningu á NAND-byggðu 3bita eMMC 5.0 seríunni okkar, gerum við ráð fyrir að vera leiðandi í stækkun há-afkastagetu farsímageymslu. Við höldum áfram að þróa farsímaminni okkar með bættum afköstum og meiri getu til að mæta vaxandi eftirspurn viðskiptavina í farsímaiðnaðinum. sagði dr. Jung-Bae Lee, varaforseti minnisvöruskipulags- og notkunarverkfræðiteymis hjá Samsung Electronics.
Röð lestur gögn af nýju 128GB eMMC 5.0 geymslunni frá Samsung keyra á hraða 260 MB / s. Þetta er sama árangur og NAND-undirstaða MLC eMMC 5.1 minni. Tilviljunarkennd les- og skrifframmistaða je 6000 IOPS, viðskrh. 5000 IOPS, sem er nógu hratt til að styðja háskerpumyndbönd og háþróaða fjölverkavinnsluaðgerðir. Í samanburði við ytri minniskort er þessi les- og skrifhraði u.þ.b 4 sinnum a 10 sinnum hærri.
Nýja 3bita eMMC 5.0 serían stækkar viðskipti Samsung frá því að útvega SSD diska fyrir gagnaver, netþjóna og tölvur til alls farsímageymslumarkaðarins. Samsung mun halda áfram að kynna 3-bita NAND Flash minningar með þróun á afkastamiklum og afkastamiklum lausnum, auk þess að halda áfram að styrkja samkeppnishæfni minnistæknifyrirtækisins.
//
//
