Samsung og Qualcomm tilkynntu um annað flís sem verður hjarta nokkurra nýrra síma. Það er Snapdragon 835 og er framleitt með 10nm FinFET tækni. Samkvæmt upplýsingum sem koma frá Kína mun örgjörvinn bjóða upp á átta kjarna í stað fjögurra. Þannig að Snapdragon 835 verður algjör stinger.
Adreno 540 flísinn, SoC með stuðningi við UFS 2.1 tækni og fleiri munu sjá um grafíkvinnslu. Universal Storage Flash 2.1 býður upp á umtalsverðar endurbætur á fyrri útgáfum, sem færir betra öryggi og fleira. Svo virðist sem það verður fyrsta gerðin sem fær nýja örgjörvann Galaxy S8, sem ætti að koma á fyrri hluta næsta árs.
Það skal líka tekið fram að skjalið vísar til annars ótilkynntra flísasetts frá Qualcomm sem við ættum að búast við á öðrum ársfjórðungi 2. Snapdragon 2017 mun koma með átta kjarna ásamt Adreno 660 GPU og UFS 512 stuðningi. Hins vegar verður Snapdragon 2.1 framleiddur með 660nm ferli, ekki 14nm.
Heimild: Phonearena
