Samsung kynnti áform sín í hálfleiðarabransanum á ráðstefnu í Bandaríkjunum. Hann sýndi vegakort sem sýnir hægfara umskipti yfir í 7nm LPP (Low Power Plus), 5nm LPE (Low Power Early), 4nm LPE/LPP og 3nm Gate-All-Around Early/Plus tækni.
Suður-kóreski risinn mun hefja framleiðslu á 7nm LPP tækni, sem mun nota EUV steinþrykk, á seinni hluta næsta árs, en á sama tíma vill keppinauturinn TSMC hefja framleiðslu með bættu 7nm+ ferli og hefja áhættusöma framleiðslu með 5nm ferli .
Samsung mun byrja að framleiða flísasett með 5nm LPE ferlinu í lok árs 2019 og 4nm LPE/LPP ferlinu árið 2020. Það er 4nm tæknin sem verður síðasta tæknin sem mun nota FinFET smára. Búist er við að bæði 5nm og 4nm ferlið dragi úr stærð kubbasettsins, en á sama tíma auka afköst og draga úr neyslu.
Byrjar með 3nm tækni mun fyrirtækið skipta yfir í eigin MBCFET (Multi Bridge Channel FET) GAA (Gate All Around) arkitektúr. Ef allt gengur að óskum ættu flísar að vera framleiddar árið 3 með 2022nm ferlinu.
